氧化硅（SiO2）在自然界中通常以石英晶体的形式存在，而在半导体制造工序CVD或PVD中则以非晶的形式存在。硬度高，熔点高，化学稳定性极好，几乎不与其他化学品发生反应，绝缘性能好，热膨胀系数低等。氧化硅薄膜在半导体制造中的应用？1、用作刻蚀，扩散，离子注入时的掩膜层；作为刻蚀掩膜，氧化硅具有很高的选择性，且不与化学药水及气体发生反应；作为扩散与离子注入掩膜，阻止掺杂物质如硼、磷等扩散到硅片的其他区域，这样可以精确控制掺杂区域的边界；
 2、用作绝缘介质（隔离、绝缘栅、多层布线绝缘、电容介质等）；作为隔离层，有助于减少各部分间的串扰；作为栅氧化层，能够有效控制栅极电压以对通道的载流子进行调控，从而控制流过晶体管的电流；作为介电层，用于隔离不同层之间的金属层，这样可以防止电流泄露和短路。 3、用作表面保护及钝化。氧化硅薄膜可以用作保护层，覆盖在敏感材料表面，以保护它们免受外湿气、污染物和化学腐蚀。作为钝化层，以改善半导体表面的化学和电学性质。它能有效地阻止表面原子的活跃性，减少表面缺陷，从而提高器件的电学性能。